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重庆铟废料回收,,可当日变现

2025-07-03 09:10:01 0次浏览

价 格:面议

半导体领域:占比 28%,用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积,在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升,如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。

超高密度成型:超高密度成型工艺(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。

晶粒定向控制:晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向,提升溅射薄膜的质量和性能,满足高端应用领域的需求。

物理化学性能

物理性质:

密度:7.31 g/cm³,熔点 156.6℃,沸点 2080℃,常温下可弯曲而不碎裂。

导电性:电导率约 1.1×10⁷ S/m,仅次于银、铜,适用于高频电子元件。

化学性质:

常温下在空气中稳定,加热至 100℃以上会氧化生成 In₂O₃;可溶于强酸(如盐酸、硫酸),但在碱中稳定性较高。

靶材原料(占比约 60%):

用于制备 ITO(氧化铟锡)靶材,生产 LCD、OLED 显示面板的透明导电膜(如手机屏幕、电视面板)。

光伏领域:作为 CIGS(铜铟镓硒)薄膜太阳能电池的关键原料,提升光电转换效率。

被浏览过 2829258 次    版权所有:重庆锦鑫贵金属回收冶炼有限公司(ID:35148078) 颜艳珍

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