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2025-07-06 11:17:01 0次浏览

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微观结构：铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间，密度高于 7.31g/cm³，热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上，这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。

显示面板制造：是铟靶的应用领域，约占总需求的 52%，主要用于液晶显示器（LCD）与有机发光二极管（OLED）的 ITO 透明导电膜制备，可使面板具有良好的导电性和透明性。

纯度分级：

4N 精铟：纯度≥99.99%，主要用于普通电子元器件及靶材原料。

5N-6N 精铟：纯度≥99.999%-99.9999%，用于高端半导体、光电材料等领域。

精铟的制备需经过多步精炼，核心工艺包括：

原料预处理：以锌冶炼副产物（如浸出渣、烟灰）或含铟废料为原料，通过酸浸、萃取等方式初步分离铟。

电解精炼：将粗铟溶解为铟盐溶液（如硫酸铟），通过电解沉积得到纯度约 99.95% 的粗精铟。

深度提纯：

真空蒸馏：在高真空条件下利用铟与杂质的沸点差异（铟沸点 2080℃，杂质如锌沸点 907℃）去除低沸点杂质。

区域熔炼：通过移动加热区使杂质在固液界面重新分布，多次操作后可将纯度提升至 6N 以上。

化学提纯：利用萃取剂（如三丁基氧化膦）或离子交换树脂进一步去除微量金属离子。