铂金属回收提取与再生
2020-12-16 07:17:15 4030次浏览
铂金属回收的提取:砂铂矿或含铂族金属的砂金矿用重选法富集可得精矿,铂或锇、铱的含量能达70-90%,可直接精炼。50年代以来铂族金属主要从铜镍硫化物共生矿中提取,小部分从炼铜副 产品中提取。铂族含量高的冰镍,现在氧压下硫酸浸出,或氯化冶金别离其他金属后获得铂族精矿。铂族精矿经过直接溶解、别离、提纯,或先将锇、钌氧化挥发他离后,再别离、提纯其他铂 族金属。
铂金属回收再生:铂族金属稀有而宝贵,历来重视回收。废催化剂、废电器元件、含铂的残破器皿、废电镀液、珠宝装饰品厂的废料等都可从中回收铂族金属。 铂族金属的别离和提纯:铂族金属的提取和精制流程因原料成分、含量的不同而异。将铂族金属精矿或含铂族金属的阳极泥用王水溶解,钯、铂、金均进入溶液。用盐酸处理以损坏亚硝酰 化合物,然后加硫酸亚铁沉积出金。加氯化铵,铂呈氯铂酸铵沉积出,煅烧氯铂酸铵可得含铂99.5%以上的海绵铂。别离铂后的滤液,参加过量的氢氧化铵,再用盐酸酸化,沉积出二氯二氨配 亚钯方式的钯,再在氢气中加热煅烧可得纯度达99.7%以上的海绵钯。
经上述王水处理后的不溶物与碳酸钠、硼砂、密陀僧和焦炭共熔,得贵铅。用灰吹法除掉大部分铅,再用硝酸溶解银,残 留的铅、铑、铱、锇、钌富集于残渣中。将此残渣与硫酸氢钠熔融,铑转化为可溶性的硫酸盐,用水浸出,加氢氧化钠沉出氢氧化铑,再用盐酸溶解,得氯铑酸。溶液提纯后,参加氯化铵,浓 缩、结晶出氯铑酸铵。在氢气中煅烧,可得海绵铑。在硫酸氢钠熔融时,铱、锇、钌不反响,仍留于水浸残渣中。
将残渣与过氧化钠和苛性钠一同熔融,用水浸出;向浸出液中通入氯气并蒸 馏,钌和锇以氧化物方式蒸出。用乙醇-盐酸溶液吸收,将吸收液再加热蒸馏,并用碱液吸收得锇酸钠。在吸收液中加氯化铵,则锇以铵盐方式沉积,在氢气中煅烧,可得锇粉。在蒸出锇的残 液中加氯化铵,可得钌的铵盐,再在氢气中煅烧,可得钌粉。浸出钌和锇后的残渣主要为氧化铱,用王水溶解,加氯化铵沉出粗氯铱酸铵,经精制,在氢气中煅烧,可得铱粉。将铂族金属粉末 用粉末冶金法或经过高频感应电炉熔化可制得金属锭。 制取高纯铂族金属:一般将金属溶解后,经重复提纯,精制方法有载体氧化水解、离子交换、溶剂萃取和重复沉积等,然后再以铵盐沉出,经煅烧可得相应的高纯金属。
纯铂为带光泽、有可延展性的银白色金属,它的可延展性是所有纯金属中的,胜过金、银和铜,但其可锻铸性却比金低。铂金属的抗腐蚀性极强,在高温下非常稳定,电性能亦很稳定。它在任何温度下都不会氧化,但可被各种卤素、氰化物、硫和苛性碱侵蚀。
铂金首饰的纯度非常高,铂金首饰的纯度通常都高达90%-95%,常见的铂金首饰纯度有Pt900,Pt950。根据国家规定,只有铂金含量在85%及以上的首饰才能被称为铂金首饰。铂金首饰纯度极高,因此也不会使皮肤过敏。铂金的白色光泽天然纯净,赋予了铂金首饰独特的外观。即使每天佩戴,铂金始终留有纯净如初的纯白光泽。
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微观结构:铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间,密度高于 7.31g/cm³,热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上,这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。热等静压(HIP)工艺:在高温和高压环境下进行
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光伏产业:占比 15%,应用于薄膜太阳能电池的透明电极,如铜铟镓硒(CIGS)薄膜电池、光伏异质结电池(HJT)等,随着这些电池技术的产业化进程加速,对铟靶的需求也在不断增加。显示技术领域:广泛应用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板
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超高密度成型:超高密度成型工艺(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空溅射过程中的稳定性和使用寿命。晶粒定向控制:晶粒定向控制技术能够控制铟靶的晶粒尺寸和方向,提升溅射薄膜的质量和性能,满足高端应用领域的需求。良好的机械和热学特性
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良好的机械和热学特性:硬度较高,在研磨、抛光过程中不易被划伤,保证了薄膜表面的平整性;同时能够承受较高的温度而不发生分解或结构破坏,在高温环境中的抗裂性和耐用性良好,确保了薄膜在溅射和高温条件下的稳定性。粉末冶金法:将铟氧化物和锡氧化物粉末
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半导体领域:占比 28%,用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积,在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升,如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。超高密度成型:超高密度成型工艺(≥99.5%)可使靶材具有更好的性能,提高在真空溅射过程中的稳定性和使
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铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材,是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中,铟靶材在高能粒子的轰击下,铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面,形成所需的铟薄膜。显示面板制造:是铟靶的应用领域,约占总需求的 52%,主
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铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材,是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中,铟靶材在高能粒子的轰击下,铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面,形成所需的铟薄膜。热等静压(HIP)工艺:在高温和高压环境下进行烧结,能够
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半导体领域:占比 28%,用于晶圆制造的金属互联层与钝化层沉积,在第三代半导体器件制造中的渗透率持续攀升,如氮化镓功率器件就需要使用铟靶。粉末冶金法:将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合,随后进行预烧结,以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相
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良好的导电性:ITO 薄膜的电阻率可达 10⁻⁴Ω・cm,具有较低的电阻和较高的载流子浓度,能够有效地传输电流,满足各种电子设备的导电需求。光伏技术领域:在太阳能电池中,ITO 薄膜作为前电极材料,具有高透明性,能够保证光线有效进入吸收层,
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粉末冶金法:将铟氧化物和锡氧化物粉末均匀混合,随后进行预烧结,以获得初步的靶材结构。预烧结步骤通常在相对低温下进行,目的是通过部分熔融促进粉末颗粒的结合,同时防止过早的晶粒长大。粉体粒径分布的控制是该方法中的关键一环。精铟是指纯度极高的金属
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微观结构:铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间,密度高于 7.31g/cm³,热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上,这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。精铟的制备需经过多步精炼,核心工艺包括:原料预
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优异的光学性能:在可见光波段(380-780nm)内,ITO 薄膜的透光率通常能够达到 80% 以上,高透光率确保了其在显示器、太阳能电池等应用中的良好表现。光伏技术领域:在太阳能电池中,ITO 薄膜作为前电极材料,具有高透明性,能够保证光
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铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材,是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中,铟靶材在高能粒子的轰击下,铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面,形成所需的铟薄膜。优异的光学性能:在可见光波段(380-780nm)内,I
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铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材,是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中,铟靶材在高能粒子的轰击下,铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面,形成所需的铟薄膜。半导体领域:占比 28%,用于晶圆制造的金属互联层与钝化
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良好的机械和热学特性:硬度较高,在研磨、抛光过程中不易被划伤,保证了薄膜表面的平整性;同时能够承受较高的温度而不发生分解或结构破坏,在高温环境中的抗裂性和耐用性良好,确保了薄膜在溅射和高温条件下的稳定性。显示技术领域:广泛应用于 LCD、O
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主要成分:通常由 90% 的氧化铟(In₂O₃)和 10% 的氧化锡(SnO₂)组成,这一比例在实际应用中能实现透明性和导电性的理想平衡。外观特性:在靶材形态下,颜色通常为浅黄色至浅绿色,而制成薄膜后则具有透明性。良好的机械和热学特性:硬度
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铟靶是指以铟为主要成分的溅射靶材,是一种在材料表面镀膜过程中用于提供铟源的材料。在真空溅射镀膜工艺中,铟靶材在高能粒子的轰击下,铟原子被溅射出来并沉积在基底材料表面,形成所需的铟薄膜。主要成分:通常由 90% 的氧化铟(In₂O₃)和 10
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优异的光学性能:在可见光波段(380-780nm)内,ITO 薄膜的透光率通常能够达到 80% 以上,高透光率确保了其在显示器、太阳能电池等应用中的良好表现。光伏技术领域:在太阳能电池中,ITO 薄膜作为前电极材料,具有高透明性,能够保证光
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微观结构:铟靶晶粒尺寸一般需维持在 10-50 微米区间,密度高于 7.31g/cm³,热导率保持在 81.8W/(m・K) 以上,这些技术参数直接决定了其在真空溅射过程中的沉积效率和薄膜质量。良好的机械和热学特性:硬度较高,在研磨、抛光过
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触控技术领域:电容式和电阻式触摸屏中,ITO 作为电极材料,其透明性和导电性决定了触控设备的灵敏度和视觉效果。光伏技术领域:在太阳能电池中,ITO 薄膜作为前电极材料,具有高透明性,能够保证光线有效进入吸收层,从而提升光电转换效率,适用于